Købe VP2206N3-G-P003 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 10mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 3.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 740mW (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 14 Weeks |
Producentens varenummer: | VP2206N3-G-P003 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 450pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 60V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 640mA (Tj) |
Email: | [email protected] |