Købe 2N6661JTXP02 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-39 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4 Ohm @ 1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 36 Weeks |
Producentens varenummer: | 2N6661JTXP02 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 90V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 90V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 860mA (Tc) |
Email: | [email protected] |