FQI3N80TU
FQI3N80TU
Varenummer:
FQI3N80TU
Fabrikant:
Fairchild/ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
12967 Pieces
Datablad:
FQI3N80TU.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for FQI3N80TU, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til FQI3N80TU via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe FQI3N80TU med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I2PAK
Serie:QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5 Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max):3.13W (Ta), 107W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:FQI3N80TU
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 800V 3A (Tc) 3.13W (Ta), 107W (Tc) Through Hole I2PAK
Afløb til Source Voltage (VDSS):800V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer