Købe FQI3N25TU med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I2PAK |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 1.4A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3.13W (Ta), 45W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | FQI3N25TU |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 170pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.2nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 250V 2.8A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I2PAK |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 250V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 250V 2.8A I2PAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |