Købe FQNL2N50BTA med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.7V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-92-3 |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5.3 Ohm @ 175mA, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1.5W (Tc) |
Emballage: | Tape & Box (TB) |
Pakke / tilfælde: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Andre navne: | FQNL2N50BTA-ND FQNL2N50BTATB |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
Producentens varenummer: | FQNL2N50BTA |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 230pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 500V 350mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 500V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 350mA (Tc) |
Email: | [email protected] |