Købe IPB020NE7N3 G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 273µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO263-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andre navne: | IPB020NE7N3 G-ND IPB020NE7N3G IPB020NE7N3GATMA1 SP000676950 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | IPB020NE7N3 G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 14400pF @ 37.5V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 75V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |