Købe IPB021N06N3GATMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 196µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO263-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 mOhm @ 100A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 250W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andre navne: | IPB021N06N3 G IPB021N06N3 G-ND IPB021N06N3 GTR IPB021N06N3 GTR-ND SP000452248 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | IPB021N06N3GATMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 275nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |