Købe IPP048N06L G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 270µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO220-3-1 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 mOhm @ 100A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | IPP048N06L G-ND IPP048N06LGIN IPP048N06LGX IPP048N06LGXK SP000204180 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | IPP048N06L G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 7600pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 225nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |