Købe IPP65R110CFDAAKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.3mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO-220-3 |
Serie: | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 277.8W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | SP000895234 |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | IPP65R110CFDAAKSA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3240pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 118nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 31.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |