Købe PHD9NQ20T,118 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | DPAK |
Serie: | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 88W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | 934055766118 PHD9NQ20T /T3 PHD9NQ20T /T3-ND |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | PHD9NQ20T,118 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 959pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 8.7A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount DPAK |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 8.7A (Tc) |
Email: | [email protected] |