Købe RDD022N60TL med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.7V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | CPT3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.7 Ohm @ 1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 20W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | RDD022N60TL |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 175pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 2A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V CPT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
Email: | [email protected] |