RN1910FE(T5L,F,T)
RN1910FE(T5L,F,T)
Varenummer:
RN1910FE(T5L,F,T)
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
13461 Pieces
Datablad:
RN1910FE(T5L,F,T).pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for RN1910FE(T5L,F,T), vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til RN1910FE(T5L,F,T) via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe RN1910FE(T5L,F,T) med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Spænding - Samler Emitter Opdeling (Max):50V
Vce Mætning (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Leverandør Device Package:ES6
Serie:-
Modstand - Emitterbase (R2) (Ohm):-
Modstand - Base (R1) (Ohms):4.7k
Strøm - Max:100mW
Emballage:Cut Tape (CT)
Pakke / tilfælde:SOT-563, SOT-666
Andre navne:RN1910FE(T5LFT)CT
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:RN1910FE(T5L,F,T)
Frekvens - Overgang:250MHz
Udvidet beskrivelse:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Beskrivelse:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce:120 @ 1mA, 5V
Nuværende - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Nuværende - Samler (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer