Købe SI2302ADS-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 50µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±8V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 700mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI2302ADS-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 300pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 20V 2.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.1A (Ta) |
Email: | [email protected] |