Købe SI2305DS-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 1.25W (Ta) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SI2305DS-T1-E3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI2305DS-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1245pF @ 4V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 4.5V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 8V 3.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 8V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |