Købe SI2337DS-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SI2337DS-T1-E3TR SI2337DST1E3 |
Driftstemperatur: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 15 Weeks |
Producentens varenummer: | SI2337DS-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 80V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 80V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |