SI2335DS-T1-E3
Varenummer:
SI2335DS-T1-E3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14648 Pieces
Datablad:
SI2335DS-T1-E3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI2335DS-T1-E3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI2335DS-T1-E3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI2335DS-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:450mV @ 250µA (Min)
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:SOT-23-3 (TO-236)
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:51 mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max):750mW (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andre navne:SI2335DS-T1-E3-ND
SI2335DS-T1-E3TR
SI2335DST1E3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:SI2335DS-T1-E3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1225pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 4.5V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 12V 3.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Afløb til Source Voltage (VDSS):12V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:3.2A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer