SI4485DY-T1-GE3
Varenummer:
SI4485DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
16616 Pieces
Datablad:
SI4485DY-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI4485DY-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI4485DY-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI4485DY-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:42 mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max):2.4W (Ta), 5W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andre navne:SI4485DY-T1-GE3-ND
SI4485DY-T1-GE3TR
SI4485DYT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI4485DY-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:590pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 10V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 30V 6A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer