Købe SI5499DC-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 800mV @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 1206-8 ChipFET™ |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-SMD, Flat Lead |
Andre navne: | SI5499DC-T1-E3TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SI5499DC-T1-E3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1290pF @ 4V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 35nC @ 8V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 8V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.2W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 8V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |