Købe SI8806DB-T2-E1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 4-Microfoot |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 43 mOhm @ 1A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 500mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 4-XFBGA |
Andre navne: | SI8806DB-T2-E1TR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 22 Weeks |
Producentens varenummer: | SI8806DB-T2-E1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 8V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 12V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 12V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |