Købe SI8809EDB-T2-E1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 4-Microfoot |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Power Dissipation (Max): | 500mW (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 4-XFBGA |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SI8809EDB-T2-E1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 8V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 500mW (Ta) Surface Mount 4-Microfoot |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | - |
Email: | [email protected] |