Købe SIE818DF-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 10-PolarPAK® (L) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 16A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 10-PolarPAK® (L) |
Andre navne: | SIE818DF-T1-GE3TR SIE818DFT1GE3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
Producentens varenummer: | SIE818DF-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3200pF @ 38V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 75V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 75V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |