SIHD6N62E-GE3
SIHD6N62E-GE3
Varenummer:
SIHD6N62E-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14734 Pieces
Datablad:
SIHD6N62E-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SIHD6N62E-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SIHD6N62E-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SIHD6N62E-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:D-PAK (TO-252AA)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max):78W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:19 Weeks
Producentens varenummer:SIHD6N62E-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:578pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 620V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Afløb til Source Voltage (VDSS):620V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer