SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3
Varenummer:
SIHG47N65E-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
13867 Pieces
Datablad:
SIHG47N65E-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SIHG47N65E-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SIHG47N65E-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SIHG47N65E-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-247AC
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:72 mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max):417W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-247-3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:19 Weeks
Producentens varenummer:SIHG47N65E-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:5682pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:273nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 650V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):650V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:47A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer