Købe SIS407DN-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max): | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Pakke / tilfælde: | PowerPAK® 1212-8 |
| Andre navne: | SIS407DN-T1-GE3TR SIS407DNT1GE3 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Monteringstype: | Surface Mount |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Fabrikantens standard ledetid: | 24 Weeks |
| Producentens varenummer: | SIS407DN-T1-GE3 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2760pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 93.8nC @ 8V |
| FET Type: | P-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Udvidet beskrivelse: | P-Channel 20V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 20V |
| Beskrivelse: | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |