Købe SPU18P06P med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO251-3 |
Serie: | SIPMOS® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 130 mOhm @ 13.2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | - |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andre navne: | SP000012303 SPU18P06P-ND SPU18P06PIN SPU18P06PX SPU18P06PXK |
Driftstemperatur: | - |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SPU18P06P |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 860pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 60V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 18.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |