Købe SQ2319ES-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 75 mOhm @ 3A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andre navne: | SQ2319ES-T1-GE3DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | SQ2319ES-T1-GE3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 620pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 40V 4.6A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 40V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |