STI11NM60ND
STI11NM60ND
Varenummer:
STI11NM60ND
Fabrikant:
ST
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14766 Pieces
Datablad:
STI11NM60ND.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for STI11NM60ND, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til STI11NM60ND via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe STI11NM60ND med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I2PAK
Serie:FDmesh™ II
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max):90W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:STI11NM60ND
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:30nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer