Købe TPN5900CNH,L1Q med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Serie: | U-MOSVIII-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 59 mOhm @ 4.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerVDFN |
Andre navne: | TPN5900CNH,L1Q(M TPN5900CNHL1QTR |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | TPN5900CNH,L1Q |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 150V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 150V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta) |
Email: | [email protected] |