TPN5900CNH,L1Q
TPN5900CNH,L1Q
Varenummer:
TPN5900CNH,L1Q
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
16531 Pieces
Datablad:
TPN5900CNH,L1Q.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TPN5900CNH,L1Q, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TPN5900CNH,L1Q via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TPN5900CNH,L1Q med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max):700mW (Ta), 39W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-PowerVDFN
Andre navne:TPN5900CNH,L1Q(M
TPN5900CNHL1QTR
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:12 Weeks
Producentens varenummer:TPN5900CNH,L1Q
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 75V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 150V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):150V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer