Købe IPP032N06N3GHKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 118µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO-220-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.2 mOhm @ 100A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 188W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | SP000453612 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | IPP032N06N3GHKSA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 60V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |