Købe IPP037N08N3GHKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PG-TO-220-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 214W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
| Andre navne: | SP000435332 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Producentens varenummer: | IPP037N08N3GHKSA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 8110pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 80V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |