NTD3808N-35G
NTD3808N-35G
Varenummer:
NTD3808N-35G
Fabrikant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14734 Pieces
Datablad:
NTD3808N-35G.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for NTD3808N-35G, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til NTD3808N-35G via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe NTD3808N-35G med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.8 mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max):1.3W (Ta), 52W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:NTD3808N-35G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1660pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:21nC @ 4.5V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 16V 12A (Ta), 76A (Tc) 1.3W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Afløb til Source Voltage (VDSS):16V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 16V 12A IPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 76A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer